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更新時(shí)間：2025-04-24
短波線(xiàn)陣芯片該銦鎵砷線(xiàn)陣探測(cè)器產(chǎn)品的截止波長(zhǎng)有1.45um、1.7um、2.2um和2.6um可選，所有產(chǎn)品都有非常低的暗電流和*性。該產(chǎn)品可以在LDB/LE（ITR）或LC（IWR）模式中選擇任意一種版本，LC版本用于快速掃描，并可選擇四種增益模式。其中一種增益模式可提供大的滿(mǎn)阱容量以使用于吸收光譜學(xué)方面的應(yīng)用。
短波線(xiàn)陣芯片產(chǎn)品特點(diǎn)
①可選擇波長(zhǎng)范圍：減少暗電流（1.45um）、標(biāo)準(zhǔn)（1.7um）、擴(kuò)展型（2.2um）、全波段（2.6um-只有LC可選）；
②線(xiàn)陣長(zhǎng)度可選256、512或1024元，寬度對(duì)應(yīng)1/4、1/2和1英寸（6.4、12.8、25.6mm）；
③大的滿(mǎn)阱容量、130或250Me-；
④像元寬度25或50um；
⑤像元高度250或500um用于光譜學(xué)，像元正方形用于機(jī)器視覺(jué)；
⑥密封的Kovar封裝；
⑦內(nèi)部集成1、2、3級(jí)溫度控制；采用低功耗熱電制冷器用于降低材料溫度。
短波線(xiàn)陣芯片參數(shù)選型表
| 銦鎵砷線(xiàn)陣選型表 | ||||
| 材料類(lèi)型 | 暗電流 | 前截止波長(zhǎng)（um）50% QE | 后截止波長(zhǎng)（um）50% QE | 中心波長(zhǎng)（um） |
| 1.45um | 1.3pA | 0.91 | 1.415 | 1.17 |
| 1.7um | 2.3pA | 0.91 | 1.650 | 1.36 |
| 2.2um | 10nA | 1.30 | 2.155 | 1.67 |
| 2.6um | 100nA | 1.64 | 2.410 | 1.84 |
封裝選項(xiàng)
1）LC/LSC ROIC
特點(diǎn)：抗結(jié)霜、快照、IWR和ITR模式可選、多路輸出、低速到快速讀出、四種增益模式/滿(mǎn)阱設(shè)置、可選帶寬；
| 像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸 出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
| 256 | 50μm | 15.7K | / | / | T2 250μm | T2 250μm |
| 512 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm T2、250μm T2、500μm LT、500μm | / | T2 250um
|
| 1024 | 25μm | 91k | T2 500μm | T1、500μm LT、500μm | T2 250μm | / |
2）LE/LSC ROIC
特點(diǎn)：抗結(jié)霜、快照、ITR模式、一路輸出、低速到中速讀出、兩種增益模式/滿(mǎn)阱設(shè)置；
| 像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
| 512 | 50μm | 1.25k | / | LT、500um RT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
| 1024 | 25μm | 1.25k | T2 500μm | T1、500um LT、500um | T1、250μm T2、250μm | N/A |
3）LDB/LSB ROIC
特點(diǎn)：抗結(jié)霜、快照、ITR模式、一路輸出、低速到中速讀出、兩種增益模式/滿(mǎn)阱設(shè)置；
| 像元數(shù) | 像元尺寸 | 大輸出頻率 | 1.45μm | 1.7μm | 2.2μm | 2.6μm |
| 256 | 50μm | 5K | / | T1、500μm LT、500μm RT、500μm T2、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm T3、250μm | N/A |
| 256 | 25μm | 5k | / | T1、500μm RT、500μm | / | / |
| 512 | 25μm | 5k | T2、500μm RT、500μm | T1、500um LT、500μm T2、500μm RT、500μm | T1、250μm T2、250μm RT、250μm | N/A |
備注：①“/”為非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，可定制；
②“N/A”為不可定制；
③ ITR：邊積分邊讀出；IWR：先積分后讀出。
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